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专利名称 ---【 MOSFET及其制造方法 】

【 基本信息
申请号
CN201010573204.6
申请日
2010-12-03
公开(公告)号
CN102487083A
公开(公告)日
2012-06-06
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人所在省份
北京
发明人
朱慧珑;许淼;梁擎擎
专利类型
发明专利
【代理信息】
代理机构名称
代理人姓名

摘 要

         本申请公开了一种MOSFET及其制造方法,其中所述MOSFET包括SOI晶片,所述SOI晶片包括底部半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层;源区和漏区,形成在SOI晶片上方的第二半导体层中,第二半导体层与SOI晶片之间由第二氧化物埋层隔开;沟道区,形成在第二半导体层中,沟道区夹在源区和漏区之间;栅叠层,包括位于第二半导体层上的栅介质层以及栅极导体;其中,所述MOSFET还包括在第一半导体层中形成的位于沟道下方的背栅,背栅具有不均匀掺杂分布,以及第二氧化物埋层作为背栅的栅介质层。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节,并且减小了源区和漏区之间的漏电流。

主权项

         一种MOSFET,包括SOI晶片,所述SOI晶片包括底部半导体衬底、位于底部半导体衬底上的第一氧化物埋层和位于第一氧化物埋层上的第一半导体层;源区和漏区,形成在SOI晶片上方的第二半导体层中,第二半导体层与SOI晶片之间由第二氧化物埋层隔开;沟道区,形成在第二半导体层中,沟道区夹在源区和漏区之间;栅叠层,包括位于第二半导体层上的栅介质层、以及位于栅介质层上的栅极导体;其中,所述MOSFET还包括在第一半导体层中形成的位于沟道下方的背栅,背栅具有不均匀掺杂分布,以及第二氧化物埋层作为背栅的栅介质层。


法律状态信息】
法律状态公告日 2012.07.25 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20101203
法律状态公告日 2012.06.06 法律状态 公开 法律状态信息
公开
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